Circuiti integrati di memoria

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IS43TR81280BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile8.478
IS43TR81280BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile6.066
IS43TR81280BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile8.622
IS43TR81280BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile4.284
IS43TR81280BL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile2.340
IS43TR81280BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile6.570
IS43TR81280BL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile6.696
IS43TR81280BL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile7.416
IS43TR81280BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile5.328
IS43TR81280BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile4.158
IS43TR82560B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile6.696
IS43TR82560B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile3.420
IS43TR82560B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile2.826
IS43TR82560B-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile2.700
IS43TR82560B-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile4.824
IS43TR82560B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile2.088
IS43TR82560BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile8.514
IS43TR82560BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile3.870
IS43TR82560BL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile5.940
IS43TR82560BL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile8.460
IS43TR82560BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile8.676
IS43TR82560BL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile7.452
IS43TR82560C-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile3.508
IS43TR82560C-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile2.376
IS43TR82560C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile2.808
IS43TR82560C-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile7.650
IS43TR82560C-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile6.120
IS43TR82560C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile4.320
IS43TR82560CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile3.490
IS43TR82560CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)	Disponibile2.754

IS43TR81280BL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile8.478

IS43TR81280BL-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile6.066

IS43TR81280BL-107MBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile8.622

IS43TR81280BL-107MBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile4.284

IS43TR81280BL-125JBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile2.340

IS43TR81280BL-125JBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile6.570

IS43TR81280BL-125JBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile6.696

IS43TR81280BL-125JBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile7.416

IS43TR81280BL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile5.328

IS43TR81280BL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile4.158

IS43TR82560B-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile6.696

IS43TR82560B-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile3.420

IS43TR82560B-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile2.826

IS43TR82560B-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile2.700

IS43TR82560B-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile4.824

IS43TR82560B-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile2.088

IS43TR82560BL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile8.514

IS43TR82560BL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile3.870

IS43TR82560BL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile5.940

IS43TR82560BL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile8.460

IS43TR82560BL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile8.676

IS43TR82560BL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile7.452

IS43TR82560C-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile3.508

IS43TR82560C-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile2.376

IS43TR82560C-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile2.808

IS43TR82560C-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile7.650

IS43TR82560C-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile6.120

IS43TR82560C-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile4.320

IS43TR82560CL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile3.490

IS43TR82560CL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-TWBGA (8x10.5)

Disponibile2.754

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