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Circuiti integrati di memoria

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Descrizione
Disponibile
Quantità
IS42SM16160K-6BLI-TR
IS42SM16160K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile6.894
IS42SM16160K-75BLI
IS42SM16160K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile6.696
IS42SM16160K-75BLI-TR
IS42SM16160K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile8.208
IS42SM16200C-75BLI
IS42SM16200C-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile7.920
IS42SM16200C-75BLI-TR
IS42SM16200C-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile6.966
IS42SM16200D-6BLI
IS42SM16200D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile2.682
IS42SM16200D-6BLI-TR
IS42SM16200D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile8.550
IS42SM16200D-75BLI
IS42SM16200D-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile8.838
IS42SM16200D-75BLI-TR
IS42SM16200D-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile2.178
IS42SM16320E-6BLI
IS42SM16320E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile3.960
IS42SM16320E-6BLI-TR
IS42SM16320E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile7.596
IS42SM16320E-75BLI
IS42SM16320E-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 133MHZ

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile8.280
IS42SM16320E-75BLI-TR
IS42SM16320E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 133MHZ

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile8.136
IS42SM16400K-6BLI
IS42SM16400K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile6.606
IS42SM16400K-6BLI-TR
IS42SM16400K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile3.654
IS42SM16400K-75BLI
IS42SM16400K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile3.580
IS42SM16400K-75BLI-TR
IS42SM16400K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile5.940
IS42SM16400M-6BLI
IS42SM16400M-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile2.232
IS42SM16400M-6BLI-TR
IS42SM16400M-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile2.952
IS42SM16400M-75BLI
IS42SM16400M-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile2.160
IS42SM16400M-75BLI-TR
IS42SM16400M-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile4.500
IS42SM16800E-75ETLI
IS42SM16800E-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile3.546
IS42SM16800G-6BLI
IS42SM16800G-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile2.790
IS42SM16800G-6BLI-TR
IS42SM16800G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile6.048
IS42SM16800G-75BI
IS42SM16800G-75BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile7.452
IS42SM16800G-75BI-TR
IS42SM16800G-75BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile8.064
IS42SM16800G-75BLI
IS42SM16800G-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile6.174
IS42SM16800G-75BLI-TR
IS42SM16800G-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile5.778
IS42SM16800H-6BLI
IS42SM16800H-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile8.442
IS42SM16800H-6BLI-TR
IS42SM16800H-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)
Disponibile2.844