Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS42S32200C1-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile6.408
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile10.652
IS42S32200C1-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile3.276
IS42S32200C1-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile5.418
IS42S32200C1-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile6.156
IS42S32200C1-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile2.556
IS42S32200E-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile4.860
IS42S32200E-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile7.992
IS42S32200E-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.960
IS42S32200E-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.246
IS42S32200E-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.204
IS42S32200E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.562
IS42S32200E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.168
IS42S32200E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.582
IS42S32200E-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile8.424
IS42S32200E-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile7.686
IS42S32200E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile11.421
IS42S32200E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile6.156
IS42S32200E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile3.078
IS42S32200E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile28.221
IS42S32200E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.660
IS42S32200E-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.418
IS42S32200E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.480
IS42S32200E-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.516
IS42S32200E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile2.325
IS42S32200E-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile10.828
IS42S32200E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile5.040
IS42S32200E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile2.610
IS42S32200L-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.8ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile6.840
IS42S32200L-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.8ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile7.272

IS42S32200C1-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile6.408

IS42S32200C1-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile10.652

IS42S32200C1-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile3.276

IS42S32200C1-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile5.418

IS42S32200C1-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile6.156

IS42S32200C1-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile2.556

IS42S32200E-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile4.860

IS42S32200E-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile7.992

IS42S32200E-6B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.960

IS42S32200E-6BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.246

IS42S32200E-6BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.204

IS42S32200E-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.562

IS42S32200E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.168

IS42S32200E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.582

IS42S32200E-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile8.424

IS42S32200E-6B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile7.686

IS42S32200E-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile11.421

IS42S32200E-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile6.156

IS42S32200E-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile3.078

IS42S32200E-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile28.221

IS42S32200E-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.660

IS42S32200E-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.418

IS42S32200E-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.480

IS42S32200E-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.516

IS42S32200E-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile2.325

IS42S32200E-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile10.828

IS42S32200E-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile5.040

IS42S32200E-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile2.610

IS42S32200L-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.8ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile6.840

IS42S32200L-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.8ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile7.272

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