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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
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IS42S16100E-7BLI
IS42S16100E-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile788
IS42S16100E-7BLI-TR
IS42S16100E-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile2.808
IS42S16100E-7BL-TR
IS42S16100E-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile7.416
IS42S16100E-7B-TR
IS42S16100E-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile7.740
IS42S16100E-7TL
IS42S16100E-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile981
IS42S16100E-7TLI
IS42S16100E-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile9.591
IS42S16100E-7TLI-TR
IS42S16100E-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile7.092
IS42S16100E-7TL-TR
IS42S16100E-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile11.048
IS42S16100F-5TL
IS42S16100F-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile7.758
IS42S16100F-5TL-TR
IS42S16100F-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile2.394
IS42S16100F-6BL
IS42S16100F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile3.096
IS42S16100F-6BLI
IS42S16100F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile2.556
IS42S16100F-6BLI-TR
IS42S16100F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile6.534
IS42S16100F-6BL-TR
IS42S16100F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile4.914
IS42S16100F-6TL
IS42S16100F-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile4.356
IS42S16100F-6TLI
IS42S16100F-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile5.076
IS42S16100F-6TLI-TR
IS42S16100F-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile8.136
IS42S16100F-6TL-TR
IS42S16100F-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile5.364
IS42S16100F-7BL
IS42S16100F-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile5.364
IS42S16100F-7BLI
IS42S16100F-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile7.848
IS42S16100F-7BLI-TR
IS42S16100F-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile8.064
IS42S16100F-7BL-TR
IS42S16100F-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile6.840
IS42S16100F-7TL
IS42S16100F-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile4.788
IS42S16100F-7TLI
IS42S16100F-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile6.102
IS42S16100F-7TLI-TR
IS42S16100F-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile5.544
IS42S16100F-7TL-TR
IS42S16100F-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II
Disponibile7.434
IS42S16100H-6BL
IS42S16100H-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile3.400
IS42S16100H-6BLI
IS42S16100H-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile3.744
IS42S16100H-6BLI-TR
IS42S16100H-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile8.982
IS42S16100H-6BL-TR
IS42S16100H-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)
Disponibile6.732