Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
FFSB3065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 30A SIC SBD GEN1.5 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 73A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK-3 (TO-263) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.598
FFSD0465A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 4A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 7.6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.346
FFSD0665A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 6A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 11A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.508
FFSD08120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 8A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 22.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.488
FFSD0865A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 8A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.640
FFSD10120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile3.204
FFSD1065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 10A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 18A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.442
FFSD1065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 13.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 424pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.902
FFSH10120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 10A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 17A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.372
FFSH10120A-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 10A AUTO SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 17A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile9.276
FFSH1065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 10A SIC SBD GEN1.5 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 11.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.448
FFSH15120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 15A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 26A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 15A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.028
FFSH1665A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 16A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 23A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile9.324
FFSH1665ADN-F155 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 16A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 11A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.032
FFSH20120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile9.744
FFSH20120ADN-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 20A AUTO SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.138
FFSH20120A-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 20A AUTO SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile11.028
FFSH2065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 20A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile11.004
FFSH2065ADN-F155 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 20A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 13A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.416
FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 20A SIC SBD GEN1.5 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile9.168
FFSH2065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile11.124
FFSH30120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 30A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 46A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.959
FFSH3065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 30A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 26A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile9.720
FFSH3065ADN-F155 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 30A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 23A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.754
FFSH3065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 30A SIC SBD GEN1.5 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 37A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile10.776
FFSH40120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 40A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 61A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 2250pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.042
FFSH40120ADN-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 40A AUTO SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.712
FFSH4065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 40A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 48A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile10.980
FFSH4065BDN-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.053
FFSH50120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1200V 50A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 77A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile23.832

FFSB3065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 30A SIC SBD GEN1.5

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 73A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK-3 (TO-263)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.598

FFSD0465A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 4A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 7.6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.346

FFSD0665A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 6A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 11A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.508

FFSD08120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 8A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 22.5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.488

FFSD0865A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 8A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.640

FFSD10120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile3.204

FFSD1065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 10A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 18A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.442

FFSD1065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 10A SIC SBD GEN1.5

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 13.5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 424pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.902

FFSH10120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 10A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 17A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.372

FFSH10120A-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 10A AUTO SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 17A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile9.276

FFSH1065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 10A SIC SBD GEN1.5

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 11.5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.448

FFSH15120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 15A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 26A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 15A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.028

FFSH1665A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 16A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 23A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile9.324

FFSH1665ADN-F155

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 16A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 11A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.032

FFSH20120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile9.744

FFSH20120ADN-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 20A AUTO SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.138

FFSH20120A-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 20A AUTO SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile11.028

FFSH2065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 20A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile11.004

FFSH2065ADN-F155

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 20A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 13A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.416

FFSH2065BDN-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 20A SIC SBD GEN1.5

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile9.168

FFSH2065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile11.124

FFSH30120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 30A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 46A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.959

FFSH3065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 30A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 26A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile9.720

FFSH3065ADN-F155

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 30A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 23A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.754

FFSH3065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 30A SIC SBD GEN1.5

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 37A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile10.776

FFSH40120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 40A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 61A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 2250pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.042

FFSH40120ADN-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 40A AUTO SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.712

FFSH4065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 40A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 48A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile10.980

FFSH4065BDN-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.053

FFSH50120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 50A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 77A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile23.832

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