Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT15DQ100KG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 235ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.554
APT15DQ120BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 240ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.100
APT15DQ120KG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 240ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile18.168
APT15DQ60BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 19ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile10.128
APT15DQ60KG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 19ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile9.516
APT15S20KG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.952
APT20SCD120B Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 68A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 1135pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.560
APT20SCD120S Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 68A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 1135pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.004
APT20SCD65K Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SILICON 650V 32A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 32A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 680pF @ 100mV, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.752
APT30D100BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 290ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile13.938
APT30D120BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 370ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.032
APT30D20BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 24ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.860
APT30D30BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 300V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.526
APT30D40BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 32ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.754
APT30D60BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 85ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile84.054
APT30DQ100BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 295ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.540
APT30DQ100KG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 295ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.798
APT30DQ120BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 320ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.260
APT30DQ120KG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 320ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.858
APT30DQ60BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile15.276
APT30DQ60KG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.932
APT30S20BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 45A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.436
APT30S20SG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 45A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.978
APT30SCD120B Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 99A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 600µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 2100pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.778
APT30SCD120S Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 99A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 600µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 2100pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.724
APT30SCD65B Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SIC 650V 46A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 46A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 600µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 945pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile448
APT40DQ100BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 40A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile88.380
APT40DQ120BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 40A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 350ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile12.486
APT40DQ60BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 40A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile21.996
APT60D100BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 280ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.670

APT15DQ100KG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 235ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.554

APT15DQ120BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 240ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.100

APT15DQ120KG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 240ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile18.168

APT15DQ60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 19ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile10.128

APT15DQ60KG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 19ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile9.516

APT15S20KG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 25A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.952

APT20SCD120B

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 68A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 1135pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.560

APT20SCD120S

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 68A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 1135pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.004

APT20SCD65K

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SILICON 650V 32A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 32A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 680pF @ 100mV, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.752

APT30D100BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 290ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile13.938

APT30D120BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 370ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.032

APT30D20BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 24ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.860

APT30D30BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.526

APT30D40BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 32ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.754

APT30D60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 85ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile84.054

APT30DQ100BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 295ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.540

APT30DQ100KG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 295ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.798

APT30DQ120BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 320ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.260

APT30DQ120KG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 320ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.858

APT30DQ60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile15.276

APT30DQ60KG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.932

APT30S20BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 45A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.436

APT30S20SG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 45A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.978

APT30SCD120B

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 99A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 600µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 2100pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.778

APT30SCD120S

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 99A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 600µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 2100pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.724

APT30SCD65B

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SIC 650V 46A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 46A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 600µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 945pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile448

APT40DQ100BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 40A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile88.380

APT40DQ120BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 40A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 350ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile12.486

APT40DQ60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 40A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 40A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile21.996

APT60D100BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 280ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.670

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