Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
1SS133T-77 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 130mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0.5V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AG, DO-34, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: MSD Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile5.886
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile7.956
1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile7.092
1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile98.802
1SS193S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile2.736
1SS193-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile8.928
1SS196(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile3.500
1SS244T-72 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 220V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AG, DO-34, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: MSD Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.744
1SS244T-77 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 220V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AG, DO-34, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: MSD Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile4.932
1SS250(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59 Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile8.136
1SS294,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile2.430
1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-79 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile77.298
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile7.650
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile4.338
1SS322(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.196
1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76A Pacchetto dispositivo fornitore: SC-76-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile4.303.746
1SS355 RRG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 500mV, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile129.798
1SS355TE-17 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile3.005.244
1SS355-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 6V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.496
1SS355VMFHTE-17 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli HIGH SPEED SWITCHING DIODE, HIGH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 500mV, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile8.550
1SS355VMTE-17 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile1.563.582
1SS355WTE-17 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURPOSE Produttore: Rohm Semiconductor Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.970
1SS361LP3-7 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.23V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 0201 (0603 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore: 2-X3-DFN0603 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile97.608
1SS361LPH4-7B Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 0402 (1006 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1006-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.758
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 10V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 10V Capacità @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile67.602
1SS370TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile8.838
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.646
1SS380TE-17 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10nA @ 20V Capacità @ Vr, F: 5pF @ 0.5V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile317.790
1SS380VMFHTE-17 Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 1SS380VMFH IS THE HIGH RELIABILI Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10nA @ 80V Capacità @ Vr, F: 5pF @ 500mV, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile3.978
1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile5.562

1SS133T-77

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 130mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0.5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AG, DO-34, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: MSD
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile5.886

1SS187,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile7.956

1SS190TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile7.092

1SS193,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile98.802

1SS193S,LF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile2.736

1SS193-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile8.928

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile3.500

1SS244T-72

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 220V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AG, DO-34, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: MSD
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.744

1SS244T-77

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 220V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AG, DO-34, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: MSD
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile4.932

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile8.136

1SS294,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile2.430

1SS307E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-79
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile77.298

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile7.650

1SS321,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile4.338

1SS322(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.196

1SS352,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76A
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-76-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile4.303.746

1SS355 RRG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 500mV, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323F
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile129.798

1SS355TE-17

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile3.005.244

1SS355-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 6V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.496

1SS355VMFHTE-17

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

HIGH SPEED SWITCHING DIODE, HIGH

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 500mV, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile8.550

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile1.563.582

1SS355WTE-17

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURPOSE

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.970

1SS361LP3-7

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.23V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 0201 (0603 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore: 2-X3-DFN0603
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile97.608

1SS361LPH4-7B

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 0402 (1006 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1006-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.758

1SS367,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 10V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 10V
Capacità @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile67.602

1SS370TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile8.838

1SS372(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.646

1SS380TE-17

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10nA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 5pF @ 0.5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile317.790

1SS380VMFHTE-17

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1SS380VMFH IS THE HIGH RELIABILI

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10nA @ 80V
Capacità @ Vr, F: 5pF @ 500mV, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: UMD2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile3.978

1SS385FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile5.562

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