Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.740
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 30V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.902
MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.146
MBRT60035 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.150
MBRT60035L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.856
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.236
MBRT60035RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile2.394
MBRT60040 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.992
MBRT60040L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.308
MBRT60040R GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.112
MBRT60040RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.320
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.316
MBRT60045L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.150
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.236
MBRT60045RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.780
MBRT60060 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.226
MBRT60060R GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.230
MBRT60080 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.436
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.760
MBRTA40020L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.524
MBRTA40020RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.366
MBRTA40030L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile6.750
MBRTA40030RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.424
MBRTA40035L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.526
MBRTA40035RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile2.304
MBRTA40040L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.654
MBRTA40040RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.832
MBRTA40045L GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.454
MBRTA40045RL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.164
MBRTA500100 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 100V 250A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 250A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile2.628

MBRT60030L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.740

MBRT60030R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 30V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.902

MBRT60030RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.146

MBRT60035

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.150

MBRT60035L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.856

MBRT60035R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.236

MBRT60035RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile2.394

MBRT60040

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.992

MBRT60040L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.308

MBRT60040R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.112

MBRT60040RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.320

MBRT60045

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.316

MBRT60045L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.150

MBRT60045R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.236

MBRT60045RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.780

MBRT60060

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.226

MBRT60060R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.230

MBRT60080

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.436

MBRT60080R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.760

MBRTA40020L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.524

MBRTA40020RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.366

MBRTA40030L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile6.750

MBRTA40030RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.424

MBRTA40035L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.526

MBRTA40035RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile2.304

MBRTA40040L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.654

MBRTA40040RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.832

MBRTA40045L

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.454

MBRTA40045RL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.164

MBRTA500100

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 100V 250A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 250A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile2.628

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