Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile6.750
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.056
MBR60030CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile5.652
MBR60030CTL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.978
MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.824
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.676
MBR60035CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.446
MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile5.256
MBR60035CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.204
MBR60035CTRL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.400
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile5.580
MBR60040CTL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.532
MBR60040CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile6.318
MBR60040CTRL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.924
MBR60045CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.600
MBR60045CTL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.244
MBR60045CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.856
MBR60045CTRL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile5.418
MBR60060CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.128
MBR60060CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.316
MBR60080CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.258
MBR60080CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.106
MBR60100CT SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile31.818
MBR60100CT-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile23.424
MBR60100PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD (TO-3P)	Disponibile91.900
MBR60100PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD (TO-3P)	Disponibile3.204
MBR60100WT SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247 Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile6.840
MBR60150CT SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile8.232
MBR6030PT Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO3P Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile648
MBR6035PT Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO3P Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile47

MBR60020CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile6.750

MBR60020CTRL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.056

MBR60030CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile5.652

MBR60030CTL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.978

MBR60030CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.824

MBR60030CTRL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.676

MBR60035CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.446

MBR60035CTL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile5.256

MBR60035CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.204

MBR60035CTRL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.400

MBR60040CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile5.580

MBR60040CTL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.532

MBR60040CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile6.318

MBR60040CTRL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 40V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.924

MBR60045CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.600

MBR60045CTL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.244

MBR60045CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.856

MBR60045CTRL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile5.418

MBR60060CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.128

MBR60060CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.316

MBR60080CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.258

MBR60080CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.106

MBR60100CT

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile31.818

MBR60100CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile23.424

MBR60100PT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD (TO-3P)

Disponibile91.900

MBR60100PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD (TO-3P)

Disponibile3.204

MBR60100WT

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD

Disponibile6.840

MBR60150CT

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile8.232

MBR6030PT

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO3P

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P

Disponibile648

MBR6035PT

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO3P

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P

Disponibile47

Send Message

Certifications

Diodi e raddrizzatori

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message