Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MBR2X100A080 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile7.722
MBR2X100A100 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.930
MBR2X100A120 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 120V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 120V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.228
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile5.850
MBR2X100A180 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 180V 200A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 180V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 180V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile7.452
MBR2X100A200 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile7.974
MBR2X120A045 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 45V 240A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 240A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.964
MBR2X120A060 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 60V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.822
MBR2X120A080 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile7.992
MBR2X120A100 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile5.760
MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 120V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 120V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile3.492
MBR2X120A150 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.194
MBR2X120A180 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 180V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 180V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.824
MBR2X120A200 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.082
MBR2X160A080 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile3.618
MBR2X160A100 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile3.544
MBR2X160A120 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 120V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 120V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile3.780
MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.784
MBR2X160A180 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 180V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 180V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.266
MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.086
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.682
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.550
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.812
MBR300150CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.896
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile6.030
MBR300200CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile5.346
MBR30020CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.096
MBR30020CTL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.050
MBR30020CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.002
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.582

MBR2X100A080

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 80V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile7.722

MBR2X100A100

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.930

MBR2X100A120

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 120V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 120V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.228

MBR2X100A150

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile5.850

MBR2X100A180

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 180V 200A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 180V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 180V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile7.452

MBR2X100A200

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile7.974

MBR2X120A045

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 45V 240A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 240A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.964

MBR2X120A060

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 60V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.822

MBR2X120A080

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 80V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile7.992

MBR2X120A100

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile5.760

MBR2X120A120

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 120V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 120V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile3.492

MBR2X120A150

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile4.194

MBR2X120A180

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 180V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 180V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile4.824

MBR2X120A200

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.082

MBR2X160A080

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 80V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile3.618

MBR2X160A100

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile3.544

MBR2X160A120

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 120V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 120V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile3.780

MBR2X160A150

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.784

MBR2X160A180

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 180V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 180V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile4.266

MBR2X160A200

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile4.086

MBR300100CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.682

MBR300100CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.550

MBR300150CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.812

MBR300150CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.896

MBR300200CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile6.030

MBR300200CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile5.346

MBR30020CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.096

MBR30020CTL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.050

MBR30020CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.002

MBR30020CTRL

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.582

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