Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
GI858-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 200ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile2.466
GI910-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 750ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile5.454
GI911-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 750ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile7.866
GI912-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 750ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile8.550
GI912-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 750ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile7.902
GI914-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 750ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile6.426
GI916-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 750ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile8.046
GI917-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 750ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile3.472
GIB1401-E3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile4.284
GIB1401HE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile4.716
GIB1401HE3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile8.604
GIB1402-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile5.454
GIB1402-E3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile2.124
GIB1402HE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile2.142
GIB1402HE3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile3.924
GIB1403-E3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile4.464
GIB1403HE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile8.154
GIB1403HE3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile6.084
GIB1404-E3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile2.718
GIB1404HE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile5.202
GIB1404HE3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile6.048
GKN130/04 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 165A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile3.132
GKN130/08 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 165A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile8.874
GKN130/12 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 165A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile5.454
GKN130/14 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media Rettificata (Io): 165A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile5.490
GKN130/16 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media Rettificata (Io): 165A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile8.910
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1800V Corrente - Media Rettificata (Io): 165A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.712
GKN240/04 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 320A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile3.546
GKN240/08 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 320A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile7.776
GKN240/12 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 320A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C	Disponibile2.538

GI858-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 200ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile2.466

GI910-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 750ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile5.454

GI911-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 750ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile7.866

GI912-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 750ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile8.550

GI912-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 750ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile7.902

GI914-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 750ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile6.426

GI916-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 750ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile8.046

GI917-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 750ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile3.472

GIB1401-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile4.284

GIB1401HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile4.716

GIB1401HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile8.604

GIB1402-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile5.454

GIB1402-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile2.124

GIB1402HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile2.142

GIB1402HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile3.924

GIB1403-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile4.464

GIB1403HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile8.154

GIB1403HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile6.084

GIB1404-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile2.718

GIB1404HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile5.202

GIB1404HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile6.048

GKN130/04

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 165A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile3.132

GKN130/08

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 165A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile8.874

GKN130/12

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 165A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile5.454

GKN130/14

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 165A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile5.490

GKN130/16

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 165A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile8.910

GKN130/18

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 165A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 22mA @ 1800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AA (DO-8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.712

GKN240/04

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 320A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile3.546

GKN240/08

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 320A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile7.776

GKN240/12

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 320A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C

Disponibile2.538

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