Renesas Electronics America Transistor - JFET

Serie

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Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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Corrente assorbita (Id) - Max

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Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Resistenza - RDS (On)

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Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - JFET

ProduttoreRenesas Electronics America

Record 4

Pagina 1/1

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Tensione - Guasto (V (BR) GSS)	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Corrente assorbita (Id) - Max	Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Resistenza - RDS (On)	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
2SK1070PICTL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	2.033	-	N-Channel	22V	-	12mA @ 5V	50mA	0V @ 10µA	9pF @ 5V	-	150mW	150°C	Surface Mount	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-MPAK
2SK1070PIDTL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	8.622	-	N-Channel	22V	-	12mA @ 5V	50mA	0V @ 10µA	9pF @ 5V	-	150mW	150°C	Surface Mount	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-MPAK
2SK1070PIETL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	5.670	-	N-Channel	22V	-	12mA @ 5V	50mA	0V @ 10µA	9pF @ 5V	-	150mW	150°C	Surface Mount	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-MPAK
2SK1070PIETR-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	8.676	-	N-Channel	22V	-	12mA @ 5V	50mA	0V @ 10µA	9pF @ 5V	-	150mW	150°C	Surface Mount	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-MPAK

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