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ZXTP56020FDBQ-7

ZXTP56020FDBQ-7

Solo per riferimento

Numero parte ZXTP56020FDBQ-7
PNEDA Part # ZXTP56020FDBQ-7
Descrizione TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.280
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXTP56020FDBQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXTP56020FDBQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
ZXTP56020FDBQ-7, ZXTP56020FDBQ-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 402,06 KB)
PDFZXTP56020FDBQ-7 Datasheet Copertura
ZXTP56020FDBQ-7 Datasheet Pagina 2 ZXTP56020FDBQ-7 Datasheet Pagina 3 ZXTP56020FDBQ-7 Datasheet Pagina 4 ZXTP56020FDBQ-7 Datasheet Pagina 5 ZXTP56020FDBQ-7 Datasheet Pagina 6 ZXTP56020FDBQ-7 Datasheet Pagina 7

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ZXTP56020FDBQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic390mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce250 @ 100mA, 2V
Potenza - Max405mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

SMV

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini6-F3-B

ZXTDCM832TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

320mV @ 200mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

25nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

Potenza - Max

1.7W

Frequenza - Transizione

165MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (3x2)

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

600mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Produttore

Infineon Technologies

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Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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