ZXMP6A16DN8TC
Solo per riferimento
| Numero parte | ZXMP6A16DN8TC |
| PNEDA Part # | ZXMP6A16DN8TC |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.490 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
ZXMP6A16DN8TC Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | ZXMP6A16DN8TC |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- ZXMP6A16DN8TC Datasheet
- where to find ZXMP6A16DN8TC
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8TC
- ZXMP6A16DN8TC PDF Datasheet
- ZXMP6A16DN8TC Stock
- ZXMP6A16DN8TC Pinout
- Datasheet ZXMP6A16DN8TC
- ZXMP6A16DN8TC Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- ZXMP6A16DN8TC Price
- ZXMP6A16DN8TC Distributor
ZXMP6A16DN8TC Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1021pF @ 30V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V Potenza - Max 2.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 60V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 800V Potenza - Max 20mW Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 10V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
