ZXMN6A11DN8TC
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| Numero parte | ZXMN6A11DN8TC |
| PNEDA Part # | ZXMN6A11DN8TC |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.352 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMN6A11DN8TC Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZXMN6A11DN8TC |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ZXMN6A11DN8TC Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 40V |
| Potenza - Max | 1.8W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 85nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V Potenza - Max 34W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 240mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.36nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27.9pF @ 10V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 28µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V Potenza - Max 65W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 458pF @ 15V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
