ZXMN3A06DN8TC
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| Numero parte | ZXMN3A06DN8TC |
| PNEDA Part # | ZXMN3A06DN8TC |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.880 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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ZXMN3A06DN8TC Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZXMN3A06DN8TC |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ZXMN3A06DN8TC Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 796pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1.8W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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