ZXMN10A25GTA
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Numero parte | ZXMN10A25GTA |
PNEDA Part # | ZXMN10A25GTA |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 55.992 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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ZXMN10A25GTA Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | ZXMN10A25GTA |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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ZXMN10A25GTA Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 859pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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