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ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Solo per riferimento

Numero parte ZXMHC6A07N8TC
PNEDA Part # ZXMHC6A07N8TC
Descrizione MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 95.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMHC6A07N8TC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMHC6A07N8TC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMHC6A07N8TC, ZXMHC6A07N8TC Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 732,45 KB)
PDFZXMHC6A07N8TC Datasheet Copertura
ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 2 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 3 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 4 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 5 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 6 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 7 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 8 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 9 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 10 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 11

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  • ZXMHC6A07N8TC Distributor

ZXMHC6A07N8TC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.39A, 1.28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V
Potenza - Max870mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A, 16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V

Potenza - Max

20W, 30W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 30V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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