ZXMC3AMCTA
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| Numero parte | ZXMC3AMCTA | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | ZXMC3AMCTA | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN | ||||||||||||||||||
| Produttore | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.780 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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ZXMC3AMCTA Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZXMC3AMCTA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ZXMC3AMCTA Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1.7W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (3x2) |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V Potenza - Max 1.92W, 1.78W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore MicroFET 3x3mm |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
