ZXMC3AMCTA
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| Numero parte | ZXMC3AMCTA | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | ZXMC3AMCTA | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN | ||||||||||||||||||
| Produttore | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.780 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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ZXMC3AMCTA Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZXMC3AMCTA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ZXMC3AMCTA Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1.7W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (3x2) |
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Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V, 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V Potenza - Max 48W (Tc), 60W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
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