ZXMC3A17DN8TA
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| Numero parte | ZXMC3A17DN8TA |
| PNEDA Part # | ZXMC3A17DN8TA |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 26.952 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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ZXMC3A17DN8TA Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZXMC3A17DN8TA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
ZXMC3A17DN8TA, ZXMC3A17DN8TA Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 280,83 KB)
  
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ZXMC3A17DN8TA Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A, 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A, 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V Potenza - Max 1.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 570mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 20V Potenza - Max 3.1W, 3.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V Potenza - Max 50W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 |
