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ZX3CDBS1M832TA

ZX3CDBS1M832TA

Solo per riferimento

Numero parte ZX3CDBS1M832TA
PNEDA Part # ZX3CDBS1M832TA
Descrizione TRANS NPN 20V 4.5A 3X2MM 8MLP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.264
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZX3CDBS1M832TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZX3CDBS1M832TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
ZX3CDBS1M832TA, ZX3CDBS1M832TA Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 224,74 KB)
PDFZX3CDBS1M832TA Datasheet Copertura
ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 2 ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 3 ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 4 ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 5 ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 6 ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 7 ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 8 ZX3CDBS1M832TA Datasheet Pagina 9

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ZX3CDBS1M832TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorNPN + Diode (Isolated)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4.5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic270mV @ 125mA, 4.5A
Corrente - Taglio collettore (Max)25nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2A, 2V
Potenza - Max3W
Frequenza - Transizione140MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP/DFN (3x2)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

140V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MPSA63_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

DNLS412E-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

400 @ 3A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

2SB772-O-BP

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1μA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

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