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ZVP2110A

ZVP2110A

Solo per riferimento

Numero parte ZVP2110A
PNEDA Part # ZVP2110A
Descrizione MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.142
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZVP2110A Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZVP2110A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
ZVP2110A, ZVP2110A Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 70,8 KB)
PDFZVP2110ASTOB Datasheet Copertura
ZVP2110ASTOB Datasheet Pagina 2 ZVP2110ASTOB Datasheet Pagina 3

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ZVP2110A Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C230mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Produttore

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

820mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF6798MTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Ta), 197A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6560pF @ 13V

Funzione FET

Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MX

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MX

SSM3J374R,LF

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 10V

Vgs (massimo)

+10V, -20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23F

Pacchetto / Custodia

SOT-23-3 Flat Leads

STW38NB20

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

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