Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

ZVN4106FTA

ZVN4106FTA

Solo per riferimento

Numero parte ZVN4106FTA
PNEDA Part # ZVN4106FTA
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 341.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZVN4106FTA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZVN4106FTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
ZVN4106FTA, ZVN4106FTA Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 321,66 KB)
PDFZVN4106FTC Datasheet Copertura
ZVN4106FTC Datasheet Pagina 2 ZVN4106FTC Datasheet Pagina 3 ZVN4106FTC Datasheet Pagina 4 ZVN4106FTC Datasheet Pagina 5 ZVN4106FTC Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • ZVN4106FTA Datasheet
  • where to find ZVN4106FTA
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZVN4106FTA
  • ZVN4106FTA PDF Datasheet
  • ZVN4106FTA Stock

  • ZVN4106FTA Pinout
  • Datasheet ZVN4106FTA
  • ZVN4106FTA Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZVN4106FTA Price
  • ZVN4106FTA Distributor

ZVN4106FTA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds35pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)350mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

STB200NF04T4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RAQ045P01MGTCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

170V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

210A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

285nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

PMV65UNER

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

291pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

490mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STD11N65M2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II Plus

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

670mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

85W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Venduto di recente

ATXMEGA64A3U-AU

ATXMEGA64A3U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 64KB FLASH 64TQFP

LSM115JE3/TR13

LSM115JE3/TR13

Microsemi

DIODE SCHOTTKY 15V 1A DO214BA

MAX15027ATB/V+T

MAX15027ATB/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 10TDFN

ST62T65CM6

ST62T65CM6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 3.8KB OTP 28SOIC

CY2305SXI-1HT

CY2305SXI-1HT

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 5OUT 133MHZ 8SOIC

1206L050/15YR

1206L050/15YR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 15V 500MA 1206

NUC2401MNTAG

NUC2401MNTAG

ON Semiconductor

CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD

LTM4630IY

LTM4630IY

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CNVRTR 0.6-1.8V 0.6-1.8V

16SVPF180M

16SVPF180M

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD

MT41K128M16JT-125 XIT:K

MT41K128M16JT-125 XIT:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

0451004.MR

0451004.MR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

MMA02040C1001FB300

MMA02040C1001FB300

Vishay Beyschlag

RES SMD 1K OHM 1% 0.4W 0204