ZVN3310ASTZ
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| Numero parte | ZVN3310ASTZ |
| PNEDA Part # | ZVN3310ASTZ |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.028 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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ZVN3310ASTZ Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZVN3310ASTZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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ZVN3310ASTZ Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 625mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | E-Line (TO-92 compatible) |
| Pacchetto / Custodia | E-Line-3 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4965pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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