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ZMV835BTA

ZMV835BTA

Solo per riferimento

Numero parte ZMV835BTA
PNEDA Part # ZMV835BTA
Descrizione DIODE VARACTOR 25V SOD323
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZMV835BTA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZMV835BTA
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriDiodi Varactor
Datasheet
ZMV835BTA, ZMV835BTA Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 334,99 KB)
PDFZMV833BTA Datasheet Copertura
ZMV833BTA Datasheet Pagina 2 ZMV833BTA Datasheet Pagina 3 ZMV833BTA Datasheet Pagina 4 ZMV833BTA Datasheet Pagina 5 ZMV833BTA Datasheet Pagina 6 ZMV833BTA Datasheet Pagina 7 ZMV833BTA Datasheet Pagina 8

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ZMV835BTA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Capacità @ Vr, F71.4pF @ 2V, 1MHz
Rapporto di capacità6.5
Condizione rapporto di capacitàC2/C20
Tensione - Picco inverso (Max)25V
Tipo di diodoSingle
Q @ Vr, F100 @ 3V, 50MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-323

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Capacità @ Vr, F

74.8pF @ 2V, 1MHz

Rapporto di capacità

6.5

Condizione rapporto di capacità

C2/C20

Tensione - Picco inverso (Max)

25V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

100 @ 3V, 50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BBY5705WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Capacità @ Vr, F

5.5pF @ 4V, 1MHz

Rapporto di capacità

4.5

Condizione rapporto di capacità

C1/C4

Tensione - Picco inverso (Max)

10V

Tipo di diodo

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

BB207,215

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Capacità @ Vr, F

26.3pF @ 8V, 1MHz

Rapporto di capacità

3.3

Condizione rapporto di capacità

C1/C7.5

Tensione - Picco inverso (Max)

15V

Tipo di diodo

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

BB173X

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Capacità @ Vr, F

2.754pF @ 28V, 1MHz

Rapporto di capacità

15

Condizione rapporto di capacità

C1/C28

Tensione - Picco inverso (Max)

32V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-523

1SV325,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Capacità @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

Rapporto di capacità

4.3

Condizione rapporto di capacità

C1/C4

Tensione - Picco inverso (Max)

10V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore

ESC

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