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W9864G6KH-5

W9864G6KH-5

Solo per riferimento

Numero parte W9864G6KH-5
PNEDA Part # W9864G6KH-5
Descrizione IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.740
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W9864G6KH-5 Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW9864G6KH-5
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W9864G6KH-5, W9864G6KH-5 Datasheet (Totale pagine: 42, Dimensioni: 1.318,08 KB)
PDFW9864G6KH-6I Datasheet Copertura
W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 2 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 3 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 4 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 5 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 6 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 7 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 8 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 9 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 10 W9864G6KH-6I Datasheet Pagina 11

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W9864G6KH-5 Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore54-TSOP II

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

MT42L128M64D2MC-3 WT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

240-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

240-FBGA (14x14)

CY7C1350G-200AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CY14B102NS-BA45XC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

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