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W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

Solo per riferimento

Numero parte W979H6KBVX2I TR
PNEDA Part # W979H6KBVX2I-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.474
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W979H6KBVX2I TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW979H6KBVX2I TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W979H6KBVX2I TR, W979H6KBVX2I TR Datasheet (Totale pagine: 122, Dimensioni: 2.452,79 KB)
PDFW979H6KBQX2I Datasheet Copertura
W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 2 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 3 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 4 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 5 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 6 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 7 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 8 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 9 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 10 W979H6KBQX2I Datasheet Pagina 11

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W979H6KBVX2I TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-VFBGA (10x11.5)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS46LR16320B-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TFBGA (8x10)

EDFA364A3MA-GD-F-D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT27BV4096-12JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC (16.6x16.6)

DS2502+T&R

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.8V ~ 6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

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