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W972GG8JB-25 TR

W972GG8JB-25 TR

Solo per riferimento

Numero parte W972GG8JB-25 TR
PNEDA Part # W972GG8JB-25-TR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.464
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W972GG8JB-25 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW972GG8JB-25 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W972GG8JB-25 TR, W972GG8JB-25 TR Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 2.606,11 KB)
PDFW972GG8JB-3 TR Datasheet Copertura
W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 2 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 3 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 4 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 5 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 6 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 7 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 8 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 9 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 10 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 11

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  • W972GG8JB-25 TR Distributor

W972GG8JB-25 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso400ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-WBGA (11x11.5)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

STK17TA8-RF25ITR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

QMP25FL064A0LMFI001

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

65ns

Tempo di accesso

65ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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