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W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Solo per riferimento

Numero parte W9425G6JB-5I TR
PNEDA Part # W9425G6JB-5I-TR
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.618
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W9425G6JB-5I TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW9425G6JB-5I TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W9425G6JB-5I TR, W9425G6JB-5I TR Datasheet (Totale pagine: 50, Dimensioni: 1.913,83 KB)
PDFW9425G6JB-5I Datasheet Copertura
W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 2 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 3 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 4 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 5 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 6 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 7 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 8 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 9 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 10 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 11

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W9425G6JB-5I TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-TFBGA (8x13)

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S99F032B

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

70914S15J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

36Kb (4K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

S29GL128P90FFIR202

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

11LC080-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Single Wire

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29F64G08CECCBH1-12IT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VBGA

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