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W632GU6MB-11

W632GU6MB-11

Solo per riferimento

Numero parte W632GU6MB-11
PNEDA Part # W632GU6MB-11
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.924
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GU6MB-11 Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GU6MB-11
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W632GU6MB-11, W632GU6MB-11 Datasheet (Totale pagine: 161, Dimensioni: 5.925,37 KB)
PDFW632GU6MB15I Datasheet Copertura
W632GU6MB15I Datasheet Pagina 2 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 3 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 4 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 5 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 6 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 7 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 8 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 9 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 10 W632GU6MB15I Datasheet Pagina 11

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  • W632GU6MB-11 Distributor

W632GU6MB-11 Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-VFBGA (7.5x13)

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Alliance Memory, Inc.

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (8x13)

W632GU6KB-15 TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-WBGA (9x13)

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

144Mb (8M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

S29JL032J70TFI020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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Tecnologia

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

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-

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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