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W632GG6MB-15

W632GG6MB-15

Solo per riferimento

Numero parte W632GG6MB-15
PNEDA Part # W632GG6MB-15
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.024
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GG6MB-15 Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GG6MB-15
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W632GG6MB-15, W632GG6MB-15 Datasheet (Totale pagine: 160, Dimensioni: 5.282,74 KB)
PDFW632GG6MB15J Datasheet Copertura
W632GG6MB15J Datasheet Pagina 2 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 3 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 4 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 5 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 6 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 7 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 8 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 9 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 10 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 11

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  • W632GG6MB-15 Distributor

W632GG6MB-15 Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-VFBGA (7.5x13)

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

S29GL128N10FFI010

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

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