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W632GG6MB-12

W632GG6MB-12

Solo per riferimento

Numero parte W632GG6MB-12
PNEDA Part # W632GG6MB-12
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GG6MB-12 Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GG6MB-12
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W632GG6MB-12, W632GG6MB-12 Datasheet (Totale pagine: 160, Dimensioni: 5.282,74 KB)
PDFW632GG6MB15J Datasheet Copertura
W632GG6MB15J Datasheet Pagina 2 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 3 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 4 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 5 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 6 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 7 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 8 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 9 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 10 W632GG6MB15J Datasheet Pagina 11

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  • W632GG6MB-12 Distributor

W632GG6MB-12 Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-VFBGA (7.5x13)

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Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TFBGA (8x12.5)

IS61LPS25636A-200B2I-TR

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - UV

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window

Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP Frit Seal with Window

CY62158H-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Adesto Technologies

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

70MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

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