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W632GG6KB-12 TR

W632GG6KB-12 TR

Solo per riferimento

Numero parte W632GG6KB-12 TR
PNEDA Part # W632GG6KB-12-TR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.042
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GG6KB-12 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GG6KB-12 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W632GG6KB-12 TR, W632GG6KB-12 TR Datasheet (Totale pagine: 159, Dimensioni: 5.812,62 KB)
PDFW632GG6KB-18 Datasheet Copertura
W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 2 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 3 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 4 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 5 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 6 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 7 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 8 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 9 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 10 W632GG6KB-18 Datasheet Pagina 11

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W632GG6KB-12 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-WBGA (9x13)

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CAT28C16AL20

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

24-PDIP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-TWBGA (8x10.5)

S29PL127J70BAI020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (8x11.6)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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