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W631GU8MB11I

W631GU8MB11I

Solo per riferimento

Numero parte W631GU8MB11I
PNEDA Part # W631GU8MB11I
Descrizione IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.676
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W631GU8MB11I Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW631GU8MB11I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W631GU8MB11I, W631GU8MB11I Datasheet (Totale pagine: 161, Dimensioni: 5.888,32 KB)
PDFW631GU8MB15I Datasheet Copertura
W631GU8MB15I Datasheet Pagina 2 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 3 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 4 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 5 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 6 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 7 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 8 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 9 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 10 W631GU8MB15I Datasheet Pagina 11

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  • W631GU8MB11I Distributor

W631GU8MB11I Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-VFBGA (10.5x8)

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-WFBGA (6x4)

IS45S16160J-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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AT27BV512-70JU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

71V016SA15BFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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