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W631GG8MB12I

W631GG8MB12I

Solo per riferimento

Numero parte W631GG8MB12I
PNEDA Part # W631GG8MB12I
Descrizione IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W631GG8MB12I Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW631GG8MB12I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W631GG8MB12I, W631GG8MB12I Datasheet (Totale pagine: 160, Dimensioni: 6.093,4 KB)
PDFW631GG8MB15I Datasheet Copertura
W631GG8MB15I Datasheet Pagina 2 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 3 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 4 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 5 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 6 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 7 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 8 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 9 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 10 W631GG8MB15I Datasheet Pagina 11

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  • W631GG8MB12I Distributor

W631GG8MB12I Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-VFBGA (10.5x8)

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Serie

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Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

IS42S16100E-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

50-TSOP II

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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