Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

W631GG6KB12I

W631GG6KB12I

Solo per riferimento

Numero parte W631GG6KB12I
PNEDA Part # W631GG6KB12I
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.624
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W631GG6KB12I Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW631GG6KB12I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W631GG6KB12I, W631GG6KB12I Datasheet (Totale pagine: 159, Dimensioni: 5.318,91 KB)
PDFW631GG6KB15J Datasheet Copertura
W631GG6KB15J Datasheet Pagina 2 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 3 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 4 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 5 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 6 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 7 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 8 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 9 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 10 W631GG6KB15J Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • W631GG6KB12I Datasheet
  • where to find W631GG6KB12I
  • Winbond Electronics

  • Winbond Electronics W631GG6KB12I
  • W631GG6KB12I PDF Datasheet
  • W631GG6KB12I Stock

  • W631GG6KB12I Pinout
  • Datasheet W631GG6KB12I
  • W631GG6KB12I Supplier

  • Winbond Electronics Distributor
  • W631GG6KB12I Price
  • W631GG6KB12I Distributor

W631GG6KB12I Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-WBGA (9x13)

I prodotti a cui potresti essere interessato

CY7C1357C-133AXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

W25Q16DVZPJP TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

AS4C32M16D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (8x13)

70V24S20PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

IS43TR82560B-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-TWBGA (8x10.5)

Venduto di recente

A3P250-VQG100I

A3P250-VQG100I

Microsemi

IC FPGA 68 I/O 100VQFP

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

IRAMX16UP60B-2

IRAMX16UP60B-2

Infineon Technologies

IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2

MAX1680ESA

MAX1680ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

STM32L433CCU6

STM32L433CCU6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFPN

ACPL-M43T-500E

ACPL-M43T-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 4KV TRANSISTOR 5-SO

AD623ARZ

AD623ARZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC

HCPL-0531-500E

HCPL-0531-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8SOIC

2N7002-7-F

2N7002-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

SMBJ58A

SMBJ58A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

ST16C2552IJ44TR-F

ST16C2552IJ44TR-F

MaxLinear, Inc.

IC UART FIFO 16B DUAL 44PLCC