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W25X16VZPIG T&R

W25X16VZPIG T&R

Solo per riferimento

Numero parte W25X16VZPIG T&R
PNEDA Part # W25X16VZPIG-T-R
Descrizione IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.496
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25X16VZPIG T&R Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25X16VZPIG T&R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25X16VZPIG T&R, W25X16VZPIG T&R Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 1.565,54 KB)
PDFW25X32VZEIG T&R Datasheet Copertura
W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 2 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 3 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 4 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 5 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 6 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 7 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 8 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 9 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 10 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 11

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W25X16VZPIG T&R Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock75MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x5)

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C10612DV33-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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