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W25Q16BVZPIG TR

W25Q16BVZPIG TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q16BVZPIG TR
PNEDA Part # W25Q16BVZPIG-TR
Descrizione IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.096
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q16BVZPIG TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q16BVZPIG TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q16BVZPIG TR, W25Q16BVZPIG TR Datasheet (Totale pagine: 68, Dimensioni: 2.055,66 KB)
PDFW25Q16BVSSIG TR Datasheet Copertura
W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 2 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 3 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 4 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 5 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 6 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 7 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 8 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 9 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 10 W25Q16BVSSIG TR Datasheet Pagina 11

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W25Q16BVZPIG TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x5)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VBGA (12x18)

S34MS01G100BHI003

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

709079S15PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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