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W25P10VSNIG T&R

W25P10VSNIG T&R

Solo per riferimento

Numero parte W25P10VSNIG T&R
PNEDA Part # W25P10VSNIG-T-R
Descrizione IC FLASH 1M SPI 40MHZ 8SOIC
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25P10VSNIG T&R Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25P10VSNIG T&R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25P10VSNIG T&R, W25P10VSNIG T&R Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.324,36 KB)
PDFW25P40VSNIG T&R Datasheet Copertura
W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 2 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 3 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 4 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 5 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 6 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 7 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 8 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 9 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 10 W25P40VSNIG T&R Datasheet Pagina 11

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W25P10VSNIG T&R Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock40MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1.125Mb (32K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

3Mb (128K x 24)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

500ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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