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VUO62-08NO7

VUO62-08NO7

Solo per riferimento

Numero parte VUO62-08NO7
PNEDA Part # VUO62-08NO7
Descrizione BRIDGE RECT 3P 800V 63A PWS-D
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.534
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VUO62-08NO7 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVUO62-08NO7
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
VUO62-08NO7, VUO62-08NO7 Datasheet (Totale pagine: 1, Dimensioni: 31 KB)
PDFVUO82-16NO7 Datasheet Copertura

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VUO62-08NO7 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo di diodoThree Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)63A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.8V @ 150A
Corrente - Perdita inversa @ Vr300µA @ 800V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaPWS-D
Pacchetto dispositivo fornitorePWS-D

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Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

WOM

GBJ10005-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-ESIP, KBU

Pacchetto dispositivo fornitore

KBU

GBPC2501T

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 400mA

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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