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VT6Z1T2R

VT6Z1T2R

Solo per riferimento

Numero parte VT6Z1T2R
PNEDA Part # VT6Z1T2R
Descrizione TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.924
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VT6Z1T2R Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVT6Z1T2R
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
VT6Z1T2R, VT6Z1T2R Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 1.747,99 KB)
PDFVT6Z1T2R Datasheet Copertura
VT6Z1T2R Datasheet Pagina 2 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 3 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 4 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 5 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 6 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 7 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 8 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 9 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 10 VT6Z1T2R Datasheet Pagina 11

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VT6Z1T2R Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN, PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 2V
Potenza - Max150mW
Frequenza - Transizione400MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD
Pacchetto dispositivo fornitoreVMT6

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 10V

Potenza - Max

2.75W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-223-8

Pacchetto dispositivo fornitore

SM8

BC857CDW1T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

380mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

ULN2004ANG4

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Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

7 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-DIP

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

400MHz, 350MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

PBSS4032SPN,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.7A, 4.8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V

Potenza - Max

2.3W

Frequenza - Transizione

140MHz, 115MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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