VT6X12T2R
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| Numero parte | VT6X12T2R |
| PNEDA Part # | VT6X12T2R |
| Descrizione | NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 65.754 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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VT6X12T2R Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VT6X12T2R |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array |
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VT6X12T2R Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Potenza - Max | 150mW |
| Frequenza - Transizione | 350MHz |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VMT6 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 120mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V Potenza - Max 510mW Frequenza - Transizione 175MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-HUSON-EP (2x2) |
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