VSIB660-E3/45
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| Numero parte | VSIB660-E3/45 |
| PNEDA Part # | VSIB660-E3-45 |
| Descrizione | BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.120 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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VSIB660-E3/45 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VSIB660-E3/45 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
| Datasheet |
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VSIB660-E3/45 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 4-SIP, GSIB-5S |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GSIB-5S |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 980mV @ 4A Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, TS-4B Pacchetto dispositivo fornitore TS4B |
