VS-SD823C12S30C
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| Numero parte | VS-SD823C12S30C |
| PNEDA Part # | VS-SD823C12S30C |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 910A B-43 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.670 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-SD823C12S30C Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-SD823C12S30C |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-SD823C12S30C, VS-SD823C12S30C Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 403,3 KB)
  
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VS-SD823C12S30C Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 910A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 1500A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-200AA, A-PUK |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B-43, Hockey PUK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 3.9V @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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