VS-SD303C10S10C
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| Numero parte | VS-SD303C10S10C |
| PNEDA Part # | VS-SD303C10S10C |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.186 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-SD303C10S10C Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-SD303C10S10C |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-SD303C10S10C, VS-SD303C10S10C Datasheet
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VS-SD303C10S10C Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 350A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.26V @ 1100A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 35mA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Clamp On |
| Pacchetto / Custodia | DO-200AA, A-PUK |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AA, A-PUK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 780ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 7.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
