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VS-GT400TH60N

VS-GT400TH60N

Solo per riferimento

Numero parte VS-GT400TH60N
PNEDA Part # VS-GT400TH60N
Descrizione IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-GT400TH60N Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-GT400TH60N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
VS-GT400TH60N, VS-GT400TH60N Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 159,93 KB)
PDFVS-GT400TH60N Datasheet Copertura
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VS-GT400TH60N Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBTTrench
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)530A
Potenza - Max1600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 400A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce30.8nF @ 30V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaDouble INT-A-PAK (3 + 8)
Pacchetto dispositivo fornitoreDouble INT-A-PAK

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FS35R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 2

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Potenza - Max

200W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

6MS24017P43W39872NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

ModSTACK™ 3

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1100A

Potenza - Max

14500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 55°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

GSID080A120B1A5

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Potenza - Max

1710W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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