VS-GB200TS60NPBF
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| Numero parte | VS-GB200TS60NPBF |
| PNEDA Part # | VS-GB200TS60NPBF |
| Descrizione | IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.546 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GB200TS60NPBF Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GB200TS60NPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
VS-GB200TS60NPBF, VS-GB200TS60NPBF Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 194,25 KB)
  
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VS-GB200TS60NPBF Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 209A |
| Potenza - Max | 781W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.84V @ 15V, 200A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 200µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 110A Potenza - Max 385W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 75A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
