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VS-GB200NH120N

VS-GB200NH120N

Solo per riferimento

Numero parte VS-GB200NH120N
PNEDA Part # VS-GB200NH120N
Descrizione IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-GB200NH120N Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-GB200NH120N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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VS-GB200NH120N Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)420A
Potenza - Max1562W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 200A (Typ)
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce18nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaDouble INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitoreDouble INT-A-PAK

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimeSTACK™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 55°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

CM75TJ-24F

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

29nF @ 10V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FMS7G10US60

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Potenza - Max

66W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.71nF @ 30V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

25PM-AA

Pacchetto dispositivo fornitore

25PM-AA

IRG7T100HF12A

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

575W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 34 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 34

IFS200B12N3E4B31BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

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