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VS-GB100TP120U

VS-GB100TP120U

Solo per riferimento

Numero parte VS-GB100TP120U
PNEDA Part # VS-GB100TP120U
Descrizione IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-GB100TP120U Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-GB100TP120U
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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VS-GB100TP120U Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150A
Potenza - Max735W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)2mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.3nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaINT-A-Pak
Pacchetto dispositivo fornitoreINT-A-PAK

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

385W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

FP10R12KE3BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FP10R12W1T4B11BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Potenza - Max

105W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT200A60T3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

290A

Potenza - Max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTGT30A60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

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