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VS-GB100LH120N

VS-GB100LH120N

Solo per riferimento

Numero parte VS-GB100LH120N
PNEDA Part # VS-GB100LH120N
Descrizione IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.560
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-GB100LH120N Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-GB100LH120N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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VS-GB100LH120N Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200A
Potenza - Max833W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.77V @ 15V, 100A (Typ)
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce8.96nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaDouble INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitoreDouble INT-A-PAK

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

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Tipo IGBT

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600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Potenza - Max

114W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.36nF @ 10V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

26-DIP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

450A

Potenza - Max

2775W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

45nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-ETF075Y60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

109A

Potenza - Max

294W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.93V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.44nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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EMIPAK-2B

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

570A

Potenza - Max

1600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

42.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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